Исследователи из научного центра LIFT разработали метод трехмерной оптической диагностики, который определяет кристаллическую микроструктуру полупроводников на глубине до 2 мм с разрешением менее 1 мкм. Работа решает проблему анализа внутренней структуры материалов без их разрушения, что ранее было невозможно из-за ограничений электронных микроскопов. Метод позволяет картировать расположение кристаллических зерен, однако его применимость ограничена изотропными бинарными полупроводниковыми соединениями.
В этом материале:
Физика метода: генерация второй гармоники
Ограничения традиционной микроскопии
Что это дает производству
Физика метода: генерация второй гармоники
В основе разработки лежит поляризационная микроскопия генерации второй гармоники. Исследователи используют жестко сфокусированный инфракрасный лазер для послойного сканирования объема полупроводника. Параметры излучения подобраны так, чтобы свет проникал вглубь материала, не вызывая его термического или физического разрушения.
При взаимодействии лазерного луча с материалом возникает ответный сигнал на удвоенной частоте (вторая гармоника). В отличие от классической поляризационной микроскопии, этот метод фиксирует границы между кристаллическими зернами. Высокочувствительные детекторы регистрируют эти сигналы в реальном времени, что позволяет определить размер, форму и пространственную ориентацию зерен.
Подробнее https://www.pravda.ru/news/science/237...